Der Intrepid ESA von ASM International N.V. - Epitaxie-Werkzeug für 2D-Material und Power-Chips

Verantwortlich: ad hoc news Fachredaktion B2B & Profi. Vor der Veroeffentlichung am 27.06.2026, 20:46 Uhr geprueft. Details im Impressum.

Der Intrepid ESA steht wie ein stählerner Turm in der Fab, die Frontklappe leicht geöffnet, dahinter Kabel, Sensoren und glänzende Edelstahlleitungen - ein typischer Anblick für Ingenieurinnen, die morgens mit Kaffeebecher am Reinraumfenster vorbeigehen. Schon nach wenigen Minuten am Bedienpanel spürt man, wie dieses Epitaxie-Werkzeug von ASM International N.V. jede Prozessvariable fein austariert und die Wafer wie auf Schienen durch die Anlage laufen lässt.

Was der Intrepid ESA leistet

Der Intrepid ESA ist ein Epitaxie-System, das dünne einkristalline Silizium- und Siliziumcarbid-Schichten auf Leistungs- und Logik-Wafer aufbringt, die für moderne Chips unverzichtbar sind. Epitaxie bedeutet hier, dass die neue Schicht sich exakt an das Kristallgitter des Substrats anlegt, was für hohe Breakdown-Spannungen und geringe Defektdichten in Power-Transistoren entscheidend ist.

Während klassische Abscheideverfahren oft mit Kompromissen bei der Kristallqualität leben müssen, zielt der Intrepid ESA auf homogene Schichten über die gesamte Waferfläche und reproduzierbare Dicke im Nanometerbereich. Das ist gerade für Automotive-Halbleiter und Server-Netzteile wichtig, deren Leistungskomponenten jahrelang stabil arbeiten müssen.

Im Alltag der Prozessingenieure

Wenn Prozessingenieurin Lara Chen in einer Schicht schmale Teststreifen aus der Anlage holt, fühlt sich die Waferoberfläche fast glasig glatt an, obwohl darunter komplexe Epitaxie-Schichten liegen. Der Intrepid ESA erlaubt es ihr, Temperaturprofile, Gasflüsse und Druckkurven über ein übersichtliches Interface zu steuern, sodass sie zwischen verschiedenen Rezepten für Power-MOSFETs, IGBTs oder SiC-Bauteile wechseln kann.

Besonders bei SiC-Wafern ist die Balance aus hoher Temperatur und kontrollierter Defektbildung entscheidend. Der Intrepid ESA bietet dafür eine geschlossene Prozesskammer mit präziser Temperaturführung, sodass Hotspots minimiert werden und die kritischen Bereiche nahe der Sperrschicht des Bauteils möglichst fehlerarm bleiben.

Epitaxie versus ALD bei ASM

ASM ist bekannt für seine ALD-Systeme, die extrem dünne und gleichmäßige Schichten atomlagenweise aufbauen, etwa für Gate-Isolationen in Hochvolt-Transistoren. Der Intrepid ESA ergänzt dieses Portfolio, indem er dort einspringt, wo kristalline Schichten und hohe Wachstumsraten gefragt sind, also etwa bei dicken Driftzonen in Leistungshalbleitern.

In der Praxis kombinieren viele Kunden beide Technologien: Zuerst entsteht eine Epitaxie-Schicht im Intrepid ESA, anschließend werden mit ALD die feinen Barrier- und Gate-Schichten definiert. So verschmelzen Struktur und Präzision, wie es Fachtexte zur Unterscheidung von Epitaxie und ALD immer wieder betonen.

Markt für Power und 2D-Material

CEO Benjamin Loh betont in Gesprächen mit Analysten immer wieder, wie stark der Bedarf an Power-Halbleitern und 2D-Materialien wächst, befeuert durch Elektroautos, Ladeinfrastruktur und Rechenzentren. Werkzeuge wie der Intrepid ESA sichern dabei, dass die dafür notwendigen Schichten verlässlich und skalierbar produziert werden können.

Auch Speicherchips und fortgeschrittene Logik profitieren von Epitaxie-Schichten, etwa für Kanäle in FinFET- und Gate-All-Around-Architekturen. Hier ist die Fähigkeit des Intrepid ESA, reproduzierbare Kristallstrukturen über viele Wafer-Läufe hinweg zu liefern, ein praktischer Hebel für Yield und Kosten.

Bedienung, Haptik, Alltag

Wer einmal in voller Reinraum-Montur neben dem Intrepid ESA steht, hört das gedämpfte Zischen der Prozessgase und das leise Brummen der Vakuumpumpen, während der Roboterarm die Wafer durch die Schleuse schiebt. Die Bedienoberfläche wirkt aufgeräumt, mit klaren Kurven für Temperatur, Druck und Gasfluss, sodass auch neuen Teammitgliedern der Einstieg leichter fällt.

Produktmanagerin Maria van Dijk beschreibt intern gerne, wie sie mit Testrezepten am Abend noch kleine Parameteränderungen fährt, um Defektkarten über Nacht zu optimieren. Die Anlage reagiert sensibel, aber berechenbar: kleine Temperaturverschiebungen zeigen sich direkt im Epitaxie-Profil, ohne dass der Prozess komplett neu qualifiziert werden muss.

Wo die Grenzen liegen

Trotz aller Prozessstabilität bleibt der Intrepid ESA ein komplexes High-End-Werkzeug, das intensive Qualifikation erfordert. Für kleinere Fabs mit wenigen Power-Linien kann die Einführung herausfordernd sein, weil Schulungen, Dummy-Läufe und Metrologie-Setups Zeit und Budget binden.

Hinzu kommt, dass Epitaxie-Prozesse empfindlich auf Partikel und Kontamination reagieren. Ein falsch gereinigtes Carrier oder eine unzureichend konditionierte Gasleitung kann Defekte über viele Waferläufe hinweg nach sich ziehen, was die Teams zu strenger Disziplin in Wartung und Logbuchführung zwingt.

Einordnung und Aktienbezug

Unterm Strich steht der Intrepid ESA für ASM als wichtiger Baustein im Zusammenspiel aus Epitaxie- und ALD-Technologien, mit denen das Unternehmen seine Position bei fortgeschrittenen Leistungs- und Logikchips ausbaut. Die ASM International N.V. Aktie (ISIN NL0000334118) ist an Euronext Amsterdam gelistet; ein verifizierter Xetra-Kurs lag zum Redaktionsschluss nicht vor, sodass Anleger auf die Heimatbörse schauen muessen.

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