Infineon investiert mehr als eine Milliarde in Standort Villach

Dort soll die weltweit erste Hochvolumenfertigung für Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleiter der neuesten Generation auf 300-Millimeter-Wafern entstehen, teilte das Unternehmen am Dienstag mit. Infineon will dafür bis 2034 rund 1,1 Milliarden Euro investieren. Der Produktionsstart ist den Angaben zufolge für Ende 2027 vorgesehen.

Mit der Investition zielt Infineon auf die stark wachsende Nachfrage nach leistungsfähigen Stromversorgungslösungen. Galliumnitrid ermögliche erhebliche Effizienzsteigerungen in zahlreichen Applikationen wie KI-Rechenzentren, Energie-Infrastruktur, Elektromobilität, Robotik und Konsumentenelektronik, so das Unternehmen. Das Projekt werde mit 319 Millionen Euro im Rahmen des Europäischen Chips Acts gefördert.