SK Hynix: el doble impulso de la inteligencia artificial — alianza con NVIDIA y expansión récord
13.06.2026 - 05:43:29 | boerse-global.de
SK Hynix ha desplegado dos movimientos estratégicos que consolidan su apuesta por la memoria de alto rendimiento para inteligencia artificial. Por un lado, ha sellado una alianza multianual con NVIDIA que va mucho más allá de una simple relación de suministro; por otro, ha revelado un plan sin precedentes para triplicar su capacidad de obleas hasta 2034, adelantando en más de una década los plazos originales. Ambas noticias han sido recibidas con entusiasmo por el mercado, que ya ha revalorizado el título más de un 217% desde enero.
Colaboración tecnológica a medida de los superchips de NVIDIA
El acuerdo, anunciado el 7 de junio de 2026, contempla el desarrollo conjunto de soluciones de memoria para los superordenadores de inteligencia artificial Vera Rubin de NVIDIA, las CPU Vera, los PC con RTX Spark y la plataforma Jetson Thor destinada a robótica. Además, la cooperación incluye la integración de la inteligencia artificial en el propio diseño de chips mediante las bibliotecas CUDA-X y PhysicsNeMo de NVIDIA.
Jensen Huang, consejero delegado de NVIDIA, destacó que la memoria de alto rendimiento es un componente crítico en las fábricas de IA modernas. Por su parte, Chey Tae-won, presidente del grupo SK, subrayó que la colaboración en ingeniería de los últimos años ha sido la base de este pacto.
Yongin: el plan que triplica la capacidad antes de lo previsto
Paralelamente, SK Hynix ha acelerado su hoja de ruta de fabricación. El conglomerado construye cuatro plantas de semiconductores en Yongin, de las cuales la primera comenzará a operar a principios de 2027. Según Chey Tae-won, la capacidad de obleas podría duplicarse en cinco años y triplicarse para 2034 —un objetivo que inicialmente se contemplaba para 2045.
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En concreto, la capacidad mensual de obleas de DRAM pasará de las actuales 550.000 unidades a aproximadamente un millón hacia 2030. Solo la primera fábrica de Yongin aportará unas 360.000 obleas al mes a partir de la primera mitad de ese año. No es un mero incremento coyuntural, sino una apuesta estructural por el crecimiento de los centros de datos de IA durante la próxima década.
El salto a 375 capas en NAND y la llegada del molibdeno
En el frente de la tecnología NAND Flash, SK Hynix ha validado un chip de 375 capas y prevé su producción en masa para finales de 2026. Originalmente concebido como un dispositivo de 400 capas, la compañía ajustó el diseño debido a la complejidad de fabricación. A más largo plazo, la hoja de ruta contempla arquitecturas de 480 y 604 capas.
Para mantener la velocidad de señal en estructuras cada vez más finas, el fabricante ha comenzado a sustituir el tungsteno por molibdeno en parte de las líneas de palabra. El cambio responde a razones físicas: a menor grosor, la resistencia eléctrica aumenta y el molibdeno permite una transmisión más rápida en geometrías reducidas.
La acción acaricia el récord histórico mientras los bancos ponen límites
El viernes, el título avanzó un 2,3% hasta los 2.150.000 KRW, lo que supuso un repunte semanal de casi el 4%. El 52?semanas máximo, alcanzado el 2 de junio en 2.407.000 KRW, queda aún un 11% por encima. Por abajo, el mínimo del periodo se registró en octubre de 2025 en 491.500 KRW, lo que implica que la cotización se ha más que cuadruplicado desde entonces.
El optimismo no ha pasado desapercibido para las grandes entidades financieras. Citigroup, JPMorgan Chase y Goldman Sachs han elevado los costes de financiación para apuestas apalancadas sobre SK Hynix y Samsung Electronics, y han limitado el tamaño de nuevas operaciones de swap. La razón: la fortísima revalorización ha disparado el riesgo de esas posiciones.
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La acción presenta un RSI de 58,4 y cotiza un 37% por encima de su media móvil de 50 sesiones, lo que indica que gran parte del optimismo sobre los chips de IA ya está descontado. Aun así, la alianza con NVIDIA y la capacidad extra de Yongin proporcionan catalizadores concretos para probar de nuevo la zona de máximos.
Posición de mercado y perspectivas
SK Hynix es el segundo mayor fabricante mundial de memorias DRAM y NAND, con cuotas del 33% y el 21%, respectivamente. La memoria de alto ancho de banda (HBM) para aceleradores de IA se perfila como el segmento de mayor crecimiento y rentabilidad. Los analistas anticipan un incremento de dos dígitos en los ingresos y un ensanchamiento de márgenes gracias a los precios premium de los productos líderes.
El éxito a medio plazo dependerá de que las plantas de Yongin entren en servicio según lo previsto y de que el NAND de 375 capas llegue a producción en serie antes de que acabe el año. Si ambos hitos se cumplen, SK Hynix habrá dado un paso definitivo para afianzar su liderazgo en el mercado de memorias para inteligencia artificial.
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