Infineon IPP60R160P7XKSA1 - 600V N-Kanal-MOSFET mit 20A Dauerstrom

Infineon IPP60R160P7XKSA1 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für 600V Anwendungen und richtet sich an Entwickler, die kompakte und effiziente Schaltlösungen in Netzteilen, Motorsteuerungen oder Industrieelektronik benötigen. Der Transistor kombiniert hohe Spannungsfestigkeit mit einem kontinuierlichen Drainstrom von 20A und einem typischen Durchgangswiderstand von 0,16?.

Technische Kennwerte des IPP60R160P7XKSA1

Der IPP60R160P7XKSA1 gehört zur Infineon CoolMOS P7 Serie und ist als N-Kanal-MOSFET für eine maximale Drain-Source-Spannung von 600V ausgelegt. Der kontinuierliche Drainstrom Id liegt bei 20A, die maximale Verlustleistung bei 81W und der maximale Drain-Source-Widerstand Rds beträgt 160m?. Das Bauteil wird in einem TO-220-Gehäuse mit drei Pins angeboten und ist für Durchsteckmontage vorgesehen. Die maximale Betriebstemperatur beträgt 150°C, die minimale -55°C, und der zulässige Gate-Source-Spannungsbereich liegt bei ±20V.

Die typische Gate-Ladung Qg beträgt laut Spezifikation 31nC bei einer Gate-Spannung von 10V. Zusammen mit der CoolMOS P7 Technologie zielt der Transistor auf reduzierte Schalt- und Leitungsverluste, was insbesondere in Hochfrequenz-Schaltnetzteilen mit hohen Wirkungsgradanforderungen relevant ist. Der Transistor ist RoHS-konform und damit für moderne Elektronikproduktionen mit entsprechenden Umweltrichtlinien geeignet.

Einsatzgebiete und Vergleich innerhalb der CoolMOS-Reihe

Typische Einsatzgebiete für den IPP60R160P7XKSA1 sind Primärseiten von Schaltnetzteilen an 230V-Netzspannung, PFC-Stufen und High-Side-Schalter in industriellen Steuerungen. Im Vergleich zu einem stärkeren MOSFET wie dem IPW60R070CFD7 mit 20A, 156W Verlustleistung und 0,129? Rds ist der IPP60R160P7XKSA1 mit 81W und 0,16? eher für mittlere Leistungen und kompaktere Designs ausgelegt. Entwickler können dadurch zwischen niedrigeren Verlusten und geringerer Baugröße beziehungsweise geringeren Kosten abwägen.

Für Anwendungen mit deutlich höheren Strömen stehen Varianten wie der IPW60R037P7XKSA1 zur Verfügung, der bei gleicher Spannung 76A Dauerstrom und nur 0,03? Rds besitzt. Gegenüber diesen Hochstromtypen positioniert sich der IPP60R160P7XKSA1 im mittleren Leistungsbereich mit 20A und 81W und eignet sich damit gut für kompakte Netzteile, bei denen die Gehäusegröße TO-220 und die thermische Anbindung einen ausgewogenen Kompromiss erlauben.

Preisniveau und Beschaffung im deutschen Handel

Im deutschen Elektronikhandel liegt der Einzelpreis für den IPP60R160P7XKSA1 im Bereich von etwa 4,80€ pro Stück bei kleinen Mengen. Ein MOSFET mit vergleichbarer Spannung und höherem Strom wie ein CoolMOS Bauteil mit 24,3A und 650V wird bei RS Components mit 4,81€ pro Stück (ohne MwSt.) ausgewiesen (Stand 20.02.2026), was das Preisband für diese Leistungsklasse im TO-220-Gehäuse verdeutlicht.

Großhandelsangebote zeigen bei Farnell für ähnliche Infineon-Leistungs-MOSFETs Staffelpreise zwischen rund 4€ und über 8€ pro Stück abhängig von Gehäuse, Strombelastbarkeit und Bestellmenge. Damit ordnet sich der IPP60R160P7XKSA1 preislich in einem typischen Bereich für 600V-MOSFETs mit mittlerem Strom und CoolMOS-Technologie ein.

Einordnung für Entwickler und Projekte

Für Entwickler, die einen 600V-MOSFET mit 20A Dauerstrom in einem TO-220-Gehäuse benötigen, bietet der IPP60R160P7XKSA1 eine ausgewogene Kombination aus Spannungsfestigkeit, Stromtragfähigkeit und moderatem Durchgangswiderstand. Gegenüber leistungsstärkeren Hochstromvarianten sind thermische Anforderungen und Layoutaufwand geringer, während im Vergleich zu einfachen Standard-MOSFETs die Effizienz durch die CoolMOS P7 Struktur verbessert wird.

Wer sehr hohe Ströme oder minimalen Rds(on) braucht, greift innerhalb der Infineon-Palette zu Typen wie IPW60R037P7XKSA1 mit 76A und 0,03? Rds, nimmt dafür aber höheres Gehäusevolumen und Preis in Kauf. In vielen kompakteren Netzteil-Designs und Industrieanwendungen ist der IPP60R160P7XKSA1 damit eine solide Wahl für den mittleren Leistungsbereich mit 600V Spannungsfestigkeit.