Infineon OptiMOS 5 80V BSZ110N08NS5 - N-Kanal MOSFET für Leistungsanwendungen

Infineon OptiMOS 5 80V BSZ110N08NS5 richtet sich an Entwickler, die in Telekommunikations- und Servernetzteilen hohe Effizienz mit kompaktem Design kombinieren wollen.

Technische Kennwerte im Überblick

Der OptiMOS 5 BSZ110N08NS5 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V, ausgelegt für den Einsatz in synchronen Gleichrichtern von Netzteilen für Telekommunikations- und Serveranwendungen. Die Produktseite des Herstellers beschreibt den Einsatzschwerpunkt im Bereich der synchronen Gleichrichtung.

Innerhalb der OptiMOS 5 80V/100V Reihe bietet der BSZ110N08NS5 besonders niedrige Durchgangswiderstände und ist für hohe Schaltfrequenzen optimiert, um Schalt- und Leitungsverluste im Gesamtsystem zu verringern. Die OptiMOS 5 80V/100V Übersicht nennt für diese Baureihe besonders niedrige RDS(on)-Werte und hohe Schaltfrequenzfähigkeit.

Einsatzgebiete und Vergleich innerhalb der OptiMOS 5 Reihe

Die OptiMOS 5 80V MOSFETs sind vor allem für die synchrone Gleichrichtung in Netzteilen von Telekommunikations- und Serversystemen konzipiert; sie eignen sich zusätzlich für industrielle Anwendungen wie Solarwechselrichter, Niederspannungsantriebe und Adapter. Die Herstellerbeschreibung hebt insbesondere Telecom- und Servernetzteile als Zielanwendungen hervor.

Gegenüber früheren OptiMOS Generationen erzielt die 80V-Variante eine Reduktion des Durchgangswiderstands RDS(on) von bis zu 43 Prozent, wodurch die Leitungsverluste bei gleichen Stromstärken deutlich geringer ausfallen. Im Selektionsleitfaden zur OptiMOS 5 80V/100V Reihe wird diese RDS(on)-Reduktion gegenüber der Vorgängergeneration genannt.

Einordnung für Entwicklungsprojekte

Im Vergleich zu MOSFETs mit höherem Durchgangswiderstand lässt sich mit OptiMOS 5 80V Bauteilen bei identischer Ausgangsleistung die Verlustleistung im Schaltpfad verringern, was in Telekommunikations- oder Servernetzteilen größere Leistungsreserven und höhere Effizienz ermöglicht. Die Übersicht zur Reihe betont die Kombination aus niedrigen Schalt- und Leitungsverlusten sowie hoher Leistungsdichte.

Für Entwickler bedeutet die Integration eines BSZ110N08NS5 in DC-DC-Wandler oder Gleichrichterstufen, dass bei 80 V Applikationen die Effizienzsteigerung gegenüber älteren MOSFET-Generationen meist ohne größeren Platzbedarf im Layout erreichbar ist.