IPW60R070C6FKSA1 CoolMOS MOSFET von Infineon Technologies AG - 600V und 53A für leistungsstarke Schaltanwendungen

Der IPW60R070C6FKSA1 von Infineon Technologies AG ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET der CoolMOS C6-Reihe mit 600V Drain-Source-Spannung und 53A Dauerstrom und richtet sich an Entwickler von Netzteilen, Industrieelektronik und Leistungswandlern.Die Bauteilbeschreibung eines europäischen Distributors nennt die zentralen Kennwerte.

Technische Eckdaten des IPW60R070C6FKSA1

Der IPW60R070C6FKSA1 ist als N-Kanal-Typ ausgeführt und bietet eine maximale Drain-Source-Spannung VDS von 600V, wodurch er sich für Hochspannungs-Schaltstufen in Netzteilen und Leistungswandlern eignet.Die Kennwerttabelle führt VDS mit 600V und den kontinuierlichen Drain-Strom ID mit 53A bei geeigneter Kühlung.

Der Durchlasswiderstand RDS(on) liegt bei 0,07 Ohm bei einer Prüfspannung von 10V, was den Leitungsverlust im eingeschalteten Zustand begrenzt.Die Produktdaten nennen darüber hinaus eine maximale Verlustleistung von 391W, sodass der Transistor bei passendem Kühlkonzept auch in anspruchsvollen Applikationen eingesetzt werden kann.

Die maximale Sperrschichttemperatur ist mit 150°C angegeben, was zusammen mit dem Verlustleistungswert auf eine Auslegung für raue thermische Bedingungen hindeutet.Die technischen Angaben führen zudem eine maximale Gate-Source-Schwellen­spannung von 3V auf, womit sich das Bauteil gut mit üblichen Treiberstufen ansteuern lässt.

Bauform, Einsatzbereiche und Preisniveau

Mechanisch setzt Infineon beim IPW60R070C6FKSA1 auf das durchkontaktierten TO-247-Gehäuse mit drei Pins, das im Leistungsbereich weit verbreitet ist.Die Bauteilbeschreibung klassifiziert den Transistor als Through-Hole-Komponente und ordnet ihn der CoolMOS C6-Produktreihe zu.

In dieser Kombination aus 600V, 53A und TO-247-Gehäuse ist der IPW60R070C6FKSA1 für Anwendungen wie PFC-Stufen, Primärschalter in Schaltnetzteilen, Industrieantriebe oder USV-Systeme geeignet, in denen hohe Spannung und Strom zusammenkommen.Die MOSFET-Übersicht von Infineon zeigt, dass CoolMOS C6 als Hochspannungs-Superjunction-Technologie für effiziente Leistungswandler ausgelegt ist.

Der IPW60R070C6FKSA1 bewegt sich preislich im Bereich typischer Hochleistungs-MOSFETs für den europäischen Markt, mit einem Stückpreis, der je nach Abnahmemenge und Händler im mittleren zweistelligen Euro-Cent-Bereich liegen kann, wobei konkrete Beträge vom jeweiligen Distributionsvertrag abhängen.

Vergleich und Einordnung innerhalb der CoolMOS-Reihe

Innerhalb der CoolMOS-Familie lässt sich der IPW60R070C6FKSA1 gegenüber Varianten mit höheren Durchlasswiderständen durch seinen niedrigen RDS(on) von 0,07 Ohm abgrenzen, was bei gleicher Strombelastung geringere Leitungsverluste bedeutet.Eine Infineon-Anwendungsnote zur 600V CoolMOS P7-Technologie beschreibt die Weiterentwicklung der Superjunction-Plattform; darin wird deutlich, dass frühere Generationen wie C6 beim Verhältnis von RDS(on), Verlustleistung und Schaltverhalten bereits auf effiziente Hochspannungs-Anwendungen ausgelegt waren.

Im Vergleich zu neueren CoolMOS-P7-Varianten mit noch geringeren Widerständen und optimierten Schaltverlusten bleibt der IPW60R070C6FKSA1 eine solide Wahl, wenn bewährte C6-Technologie und etablierte Designparameter gefragt sind, etwa in langfristig gepflegten Plattformen, bei denen ein plattformübergreifender Wechsel mit Re-Design verbunden wäre.Die technische Darstellung macht deutlich, dass spätere Plattformen zwar Effizienzgewinne bringen, aber jeweils eigene Designrichtlinien mit sich führen.

Einsatzprofil und Fazit

Der IPW60R070C6FKSA1 ist als 600V-N-Kanal-MOSFET mit 53A Dauerstrom, 0,07 Ohm RDS(on) und 391W Verlustleistung eine Komponente für leistungshungrige Schaltanwendungen, bei denen hohe Spannungen und Ströme kombiniert werden.Die Kennwertübersicht unterstreicht, dass der Transistor thermisch und elektrisch auf anspruchsvolle Einsatzprofile ausgelegt ist.

In der Praxis passt das Bauteil zu Entwicklern, die robuste Hochspannungs-MOSFETs im TO-247-Gehäuse benötigen und auf die bewährte CoolMOS-C6-Technologie von Infineon setzen, etwa in industriellen Netzteilen, Leistungswandlern oder Motorsteuerungen, in denen die Kombination aus 600V, hohem Dauerstrom und begrenztem RDS(on) entscheidend ist.