Chipfertigung: TSMC und ASML starten 12-Zoll-Masken-Initiative
Veröffentlicht am: 09.09.2026 um 21:09 Uhr | Redaktion boerse-global.de
In einem entscheidenden Schritt für die weitere Skalierung der Halbleiterfertigung haben der Auftragsfertiger TSMC und der Lithografie-Spezialist ASML am 7. September 2026 eine gemeinsame Initiative angekündigt.
Ziel der Kooperation ist die Umstellung auf sogenannte Large-Format Photomasks mit einem Durchmesser von 12 Zoll für die High-NA-EUV-Lithografie. Den Planungen zufolge soll bis zum Jahr 2031 eine Pilotlinie in Betrieb gehen, während der Start der regulären Produktion für das Jahr 2033 vorgesehen ist.
Branchenweite Allianz für größere Maskenformate
Die technologische Neuerung findet breite Unterstützung in der Halbleiterindustrie. Am 8. September 2026 gab ASML bekannt, mit weiteren führenden Chipherstellern zusammenzuarbeiten, um High-NA-EUV-Werkzeuge für die Produktion größerer Chips einzusetzen.
Im Rahmen dieser Initiative verständigten sich die beteiligten Unternehmen darauf, die bisherige Größe der Photomasken von 6 Zoll auf 12 Zoll zu verdoppeln. Dieser Übergang wird als essenziell für die effiziente Fertigung künftiger Generationen von KI-Chips angesehen.
Neben TSMC schloss sich auch Samsung Electronics am 8. September 2026 der Plattform für 12-Zoll-Photomasken an. Der südkoreanische Konzern wird sich aktiv an der Entwicklung der Plattform beteiligen. Auch Intel Foundry unterstrich die Bedeutung dieser Entwicklung und unterstützt den Übergang zu den 6x12-Zoll-Masken.
Das Unternehmen verwies in diesem Zusammenhang auf bereits erzielte Fortschritte: High-NA-EUV werde bereits in der Massenproduktion eingesetzt, wobei über 1 Million Wafer verarbeitet worden seien. Zudem erfüllen oder übertreffen Produkte auf Basis des Intel-18A-Prozesses unter Einsatz von High NA laut Unternehmensangaben die gesteckten Leistungserwartungen.
Unterschiedliche Zeitpläne für die Massenproduktion
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Trotz der gemeinsamen Arbeit an der neuen Masken-Plattform verfolgen die Chiphersteller individuelle Roadmaps für die Implementierung der High-NA-EUV-Technologie. Samsung Electronics plant, als erstes Unternehmen der Branche die High-NA-EUV-Lithografie bis zum Jahr 2028 für die Massenproduktion von DRAM-Speichern (High Volume Manufacturing, HVM) einzuführen.
TSMC hingegen setzt auf einen späteren Zeitpunkt für den breiten Einsatz. Der Konzern beabsichtigt, High NA EUV für fortgeschrittene Chips ab dem Jahr 2030 in der Massenproduktion zu übernehmen. Die Kosten für die entsprechenden Anlagen sind erheblich: Eine High-NA-EUV-Maschine von ASML wird mit rund 400 Millionen US-Dollar beziffert.
Die Ankündigung der Technologie-Initiative wurde vom Kapitalmarkt positiv aufgenommen; die Aktie von ASML verzeichnete am 8. September 2026 einen Kursanstieg von 2,91 Prozent.
Samsung erweitert KI-Kapazitäten und Partnerschaften
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Parallel zur Entwicklung der Fertigungshardware treibt Samsung Electronics seine Strategie im Bereich der Künstlichen Intelligenz (KI) voran. Am 9. September 2026 wurde eine strategische Partnerschaft mit Mistral AI bekannt gegeben, die auf On-Premises-KI-Lösungen für die Halbleiterfertigung abzielt.
Samsung führt dabei die Series-D-Finanzierungsrunde von Mistral AI in Höhe von 3 Milliarden Euro an. Durch die Integration von Mistral Large sollen Prozesse in der Defekterkennung sowie die Anlagenoptimierung verbessert werden.
Zusätzlich verstärkt Samsung seine Kooperationen im Bereich des Chipdesigns. Am 9. September 2026 wurde bekannt, dass das Unternehmen mit OpenAI an Chips der nächsten Generation arbeitet. Um die Zusammenarbeit mit japanischen Zulieferern zu intensivieren, eröffnete Samsung zudem am 8. September 2026 ein neues Forschungs- und Entwicklungszentrum für Advanced Packaging in Yokohama, das sich speziell auf KI-Chips konzentriert.
